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NTTFS4821N
TYPICAL CHARACTERISTICS
90
80
70
60
50
10 V
5.0 V
7.0 V
V GS = 4.5 V
4.2 V
4.0 V
3.8 V
90
80
70
60
50
V DS ≥ 10 V
40
30
3.6 V
3.4 V
40
30
20
3.2 V
20
T J = 100 ° C
10
0
0
1
2
3
4
T J = 25 ° C
5
6
10
0
0
T J = 25 ° C
1 2
T J = ? 55 ° C
3 4
5
6
0.015
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.015
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.013
0.011
0.009
0.007
0.005
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.005
0.004
3
4
5
6
7
8
9
10
0.003
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1.8
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 20 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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NTTFS4840N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 26 A, Single N−Channel, μ8FL